场效应晶体管种类繁多，对于初入晶体管行业的小白来说可能是很难分辨，无法搞懂其结构组成，也就造成场效应晶体管基础知识不行。但场效应晶体管在晶体管行业来说却是非常重要，所以本文将重点分享场效应晶体管的符号结构。

一般来说，场效应晶体管的分类结构如图所示：

1、增强型（MOSFET）

增强型MOS场效应晶体管的符号如图所示，该图是N沟道增强型MOS场效应晶体管，特征是漏（D）源（S）之间是断开的，即栅极（G）电压不加上，漏（D）源（S）之间是不导通的。

此外还有增强型P沟道MOS场效应晶体管的符号结构及简化符号。

2、耗尽型

耗尽型MOS场效应晶体管的飞机日益视频数据，该图是耗尽型N沟道MOS场效应晶体管的符号结构，特征是漏（D）源（S）之间是连在一起的，需要注意的是，在简化符号，在漏源之间是加粗的，表示预先扩散的沟道，这也是区别增强型MOS场效应晶体管的特征。

此外还有耗尽型P沟道MOS场效应晶体管的符号结构及简化符号。

3、结型场效应晶体管（J-FET）

结型场效应晶体管的符号结构如图所示，结型场效应晶体管的符号表示栅极（S）与漏极（D）、源极是连在一起的，这是同MOS场效应晶体管的最大区别，从物理结构也能看出，结型场效应晶体管是没有SiO2的绝缘层。