上次我们就聊到硅晶柱成长制程，那么之后是晶柱切片后处理，将晶柱做裁切与检测，裁切掉头尾的晶棒进行外径研磨、切片等步骤，所以我们来看看晶柱是如何制作成一片晶圆。

1、切片（Slicing）

长久以来经援切片都是采用内径锯，其锯片是一环状薄叶片，内径边缘镶有钻石颗粒，晶棒在切片前预先黏贴一石墨板，不仅有利于切片的夹持，更可以避免在最后切断阶段时锯片离开晶棒所造的破裂。

切片晶圆的厚度、弓形度(bow）及挠屈度（ warp）等特性为制程管制要点。影响品圆质量的因素除了切割机台本身的稳定度与设计外,锯片的张力状况及钻石锐利度的保持都有很大的影响。

2、圆边（Edge Polishing）

刚切好的晶圆，其边缘垂直于切割平面为锐利的直角，由于硅单晶硬脆的材料特性，此角极易崩裂，不但影响晶圆强度，更为制程中污染微粒的来源，且在后续的半导体制成中，未经处理的晶圆边缘也为影响光组与磊晶层之厚度，固须以计算机数值化机台自动修整切片晶圆的边缘形状与外径尺寸。

3、研磨（Lapping）

研磨的目的在于除去切割或轮磨所造成的锯痕或表面破坏层，同时使晶圆表面达到可进行抛光处理的平坦度。

4、蚀刻（Etching）

晶圆经前述加工制程后，表面因加工应力而形成一层损伤层（( damagedlayer)，在抛光之前必须以化学蚀刻的方式予以去除，蚀刻液可分为酸性与碱性两种。

5、去疵（Gettering）

利用喷砂法将晶圆上的瑕疵与缺陷赶到下半层，以利往后的IC制程。

6、抛光（Polishing）

晶圆的抛光，依制程可区分为边缘抛光与表面抛光两种。

7、边缘抛光（Edge Polishing）

边缘抛光的主要目的在于降低微粒（particle）附着于晶圆的可能性，并使晶圆具备较佳的机械强度，但需要的设备昂贵且技术要求高，除非客户要求，否则不建议进行本制程。

8、表面抛光（Surface Polishing）

表面抛光是晶圆加工处理的最后一道步骤，移除晶圆表面厚度约10-20微米，其目的在改善前述制程中遗留下的微缺陷，并取得局部平坦度的极佳化。以满足IC制程的要求。基本上本制程为化学-机械的反应机制，由研磨剂中的NaOH=KOH、NH4OH腐蚀晶圆的最表层，由机械摩擦作用提供腐蚀的动力来源。