QFN、大功率MOS这类带底部散热焊盘的器件，不少人随便打几个过孔就完事，结果实测温升远超预期。不用盲目堆过孔数量，按功率等级匹配参数，就能兼顾散热效率和加工可行性。1. 常规中小功率基础配置1W以内的普通QFN器件，散热过孔选0.3mm孔

特罗半导体作为一家半导体制造企业，致力于提供高性能和创新型的半导体产品，广泛服务于通信、消费电子、汽车电子及工业控制等领域。功率半导体器件‍功率半导体是特罗半导体的重要产品之一，主要包括功率MOSFET、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和功率

上一篇文章提到了RCD尖峰吸收电路，有留言说能将尖峰吸收电路展开详细说一下；那这一章我们就将尖峰吸收电路的类型和使用场合进行详细分析一下。 尖峰电压吸收电路是开关电源的一种辅助电路，尤其是在反激式开关电源中，那是必不可少的。因为在开关电源中，当开关电源的功率MOS管由导通变成截止瞬间，

垂直型MOSFET基本概述 垂直型功率MOSFET器件的发展主要经历了三个

在功率Mosfet设计中，许多工程师被要求降低RDS（ON）与栅源偏置电压Vcs，RDS（ON）是Mosfet在导通状态下的电阻，直接影响电子器件的功耗及效率。1、选择合适的MOSFET器件低RDS（ON）器件：选择专门设计为低导通电阻的

随着时代发展，现代电子设计逐渐高性能、低损耗，要想实现这两个目标，离不开半导体器件的选择，而Cool-MOS作为一种先进的功率MOSFET，凭借其独特的性能优势，在众多应用中脱颖而出。1、通态阻抗与损耗优势Cool-MOS具有极小的通态阻抗

首先祝大家五一快乐，今天翻看私信，看到有个朋友留言IGBT，本来计划是想先讲一下双极型晶体管后才衍生讲MOS，那既然有朋友想要了解，那我今天就先把MOS和IGBT都简答讲一下。 我们知道在开关电源中，功率MOS是最常选用的功率开关器件，在大多是场合下，它的成本和导通损耗

1、SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的