氮化镓（GaN）功率器件正逐渐成为LiDAR传感器的核心模块之一，这得益于其具有超快的开关速度和较低的寄生效应。这些特性使得氮化镓功率器件能够在高总线电压和窄脉冲宽度的情况下实现高峰值电流。为了迎接自动驾驶汽车的未来，汽车系统中必须采用更先进的传感器。在用于检测自动驾驶汽车周围物体的众多传感器中，激

发光二极管（LED）作为现代照明与显示技术的核心组件，广泛应用于各行各业。要想LED性能好，使用寿命久，就需要关注其制作材料。那么LED制作材料有哪些？1、LED的基础材料①砷化镓（GaAs）：史上首个LED所采用的材料。正向PN结压降约为

芯片的主要材料包括以下几种：硅（Si）：硅是最常用的半导体材料，因其具有优良的电气性能、良好的热稳定性及成熟的制造工艺。大多数现代集成电路（IC）都是基于硅制造的。砷化镓（GaAs）：砷化镓是一种高效的半导体材料，常用于高频、大功率应用以及

薄膜太阳能电池是一种新型的光伏器件，它通过使用硅、硫化镉、砷化镓等材料制成的微米量级的薄膜作为基体材料，利用光电效应或光化学效应将光能直接转化为电能，其特点在于对同一个的吸收系数很高，可在较薄的厚度内吸收大部分太阳能量。当下，全球面临着能源

第三代半导体材料是指以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的宽禁带半导体材料。具体是指Eg(带隙宽度)≥2.3eV的宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽

随着半导体技术的飞速发展，新型半导体材料不断涌现，其中SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为其中的佼佼者，正逐步改变着我们的技术世界。本文旨在探讨这两种材料的特性以及它们之间的主要区别。1、SiC和GaN是什么？碳化硅（SiC）：碳化硅是一

1、QPF400637GHz至40.5GHz氮化镓前端模块QPF4006是一款面向39GHz相控阵5G基站和终端的多功能氮化镓MMIC前端模块。该器件结合了低噪声高线性度LNA、低插入损耗高隔离度TR开关和高增益高效率多级PA。QPF400

稀有金属在半导体制造中具有重要地位，常用于特定半导体材料、薄膜、电极等制造，，以此实现高性能和高稳定性的芯片，因此是很多国家的重要产业之一。中国作为全球稀土资源最丰富的国家之一，立法限制镓、锗等稀有金属出口，对全球半导体行业产生了很大的震荡

自从中国商务部联合海关总署宣布将对锗和镓等相关物项实施出口管制，该公告一出，引发了业界热议，该项措施几乎可以是让全球半导体行业动荡不停，但日本认为这是一个机遇。据《日经新闻》报道，日本经济产业省及日本金属和能源安全组织（简称JOGMEC，背

近日，中国商务部及海关总署宣布，将对镓、锗相关物项实施出口管制，该项措施表明了中国在积极保护本土半导体产业优势，也引发了海外厂商的恐慌，越来越多的厂商开始担心中国可能限制其他原物料出口，如稀土等。提起稀土，可能很多人不太熟悉它的重要性，稀土

中国商务部为应对半导体局势变化，宣布将对镓、锗相关物项实施出口管制，中国作为全球镓、锗资源最丰富的国家之一，而镓、锗是半导体制造工艺中重要的原材料，因此该项措施对国外厂商来说是属于重大措施。近日，中国商务部和海关总署发布公告，宣称为维护国家

近年来，中国在全球半导体行业的地位和影响力逐渐增强，取得了显著的发展和进步，本国半导体市场规模逐渐扩大，成为全球最大的消费市场之一，在此趋势下我国半导体产业链迎来了黄金期发展。近日，中国商务部、海关总署发布公告，宣告将对镓、锗相关物项实施出

半导体行业一直以来是全球科技发展的重要驱动力，不仅在电子产品中扮演着关键角色，还未各种领域的创新提供支持。因此，多国政府正在努力加强本国优势，中国自然也不会错过！近日，商务部、海关总署发布关于对镓、锗相关物项实施出口管制的公告。满足相关特性

近年来，因为 5G 的应用，大家对射频氮化镓的关注度日益提升。Qorvo 方面也认为，GaN 非常适合提供毫米波领域所需的高频率和宽带宽。它可以满足性能和小尺寸要求，如下图所示。使用毫米波频段的应用需要高度定向的波束形成技术(波束形成将无线

James Bond小说的作者Ian Flemin曾写道，钻石可能是永恒的。但在工程师的角度来看，其或将永远处于实用半导体材料的边缘。尽管这种材料具有优点——比竞争对手的碳化硅和氮化镓（GaN）更宽的带隙，优良的热传导，以及在比硅钻石的缺点