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三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺，并开始大规模扩张。今年 10 月，三星电子获得美国政府无限期豁免，其中国工厂无需特别许可即可进口半导体芯片制作设备，而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。中建钢构消息显示，三星（中国）半导体 12 英寸闪存芯片 M

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MSPM0G3106SRHBR —— 具有 64KB 闪存、32KB SRAM、2 个 12 位 4Msps ADC、运算放大器、CAN-FD 的 80MHz Arm®M0+ MCUMSPM0G310x 微控制器 (MCU) 属于 MSP

在智能手机的快速发展中，闪存作为存储数据的核心组件，其接口类型及速度等级对于用户体验至关重要，然而很多人不太清楚手机闪存规格及标准，下面将谈谈这些。1、手机闪存接口类型有哪些？①eMMC（嵌入式多媒体卡）eMMC是一种较早的闪存接口标准，广

概述PSOC™62性能系列微控制器基于超低功耗40nm平台，结合了Arm ® Cortex®-M4和Arm® Cortex®-M0 + CPU。该器件包括低功耗闪存技术、可编程数字和模拟资源以及同类最佳的CAPSENSE™ 技术，用于触摸和

一直以来，华为正在努力向多领域发展，试图构建全生态系统，如今华为在存储领域接连放大招，甚至带来了消费级别的SSD产品，一起来看看吧。近日，华为发布了KitStor Xtreme系列高性能M.2闪存条产品，它读取速度达7400MB/s，其拥有

介绍：S3A1单片机系列是监控应用的理想选择，对于多服务提供以及持续功能升级，S3A1单片机系列可提供充足的扩展空间，可以优化的功耗低、高性能，内置Arm®Cortex®-M4内核，CPU运行速度高达48 MHz 、拥有1 MB的闪存及19

一、STM8S105S4T6CIC MCU 8BIT 16KB FLASH 44LQFPSTM8S105S4T6C Access Line 8位微控制器提供16KB 闪存程序存储器，以及集成的真数据EEPROM。STM8S105x4/6 A

简介PIC32MZ EF系列是一款高性能MCU，运行频率高达252 MHz，具有高达2 MB闪存和512 KB SRAM，面向工业、汽车、物联网、图形（HMI）和电机控制细分市场的连接应用。PIC32MZ EF系列具有一流的外设设置，包括I

描述：S26HL01GT SEMPER™闪存系列是高性能、安全、可靠的NOR闪存解决方案。这些组件集成了关键安全功能，用于汽车、工业、通信等行业的各种应用。S26HL01GT SEMPER闪存采用HYPERBUS接口，符合JEDEC eXp

产品描述：SEMPER™ NOR Flash闪存系列是英飞凌高性能、安全而可靠的 NOR Flash解决方案。 它集成了适用于汽车、工业、通信等广泛应用的关键安全功能。 凭借 SEMPER™ NOR Flash闪存，英飞凌推出了业界首款符合

说明：S25HL01GT Semper™ NOR闪存是一套非易失性存储解决方案，集成了用于汽车和工业系统的安全特性。应用包括汽车仪表盘、高级辅助驾驶系统 (ADAS) 以及网络通信。该款NOR闪存符合汽车功能安全标准，以及ASIL-B和AS

产品概述：PIC18F高性能微控制器结合了大型闪存/EE/RAM存储器、丰富的外设集成、XLP和5V支持，以适应各种通用应用。这些28/40/44引脚器件可提供内核独立外设，例如CWG、WWDT、CRC/存储器扫描、硬件CVD、零交叉检测和

一、STM32G031K8U6TR 主流微控制器IC MCU 32BIT 64KB FLASH 32UFQFPNSTM32G031K8U6TR主流微控制器基于高性能的 Arm® Cortex®-M0+ 32 位 RISC 内核，工作频率高达

随着科技的不断进步，消费者对高清照片、视频录制、媒体下载等需求不断上涨，在智能手机、平板电脑等的推动下，这促使内存和闪存市场不断扩大，因此，内存和闪存市场可以说是当下较火的半导体细分领域之一。据国内媒体报道，NAND Flash（闪存）控制

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1、介绍推出业界速度最快1.8V低电压四I/O MXSMIO™ (Serial Multi I/O)序列闪存。新的MX25U家族8Mb~64Mb于四个 I/O 模式操作，每个I/O速度高达104MHz，不仅在储存下载SnD(Store an