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TSMC | 互补场效应晶体管（CFET）在推进逻辑技术发展中的突破
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2025-04-07 11:28:06
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明佳达电子Mandy
深圳市明佳达电子有限公司（回收和供应）
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【分立器件】SCTH100N65G2-7AG、SCT060HU75G3AG汽车级碳化硅功率MOSFET，符合AEC-Q101标准
1、SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的
2024-01-29 17:02:43
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明佳达电子Mandy
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资料IMW65R107M1HXKSA1(20A)IMZA120R040M1H(55A)TO247 SiCFET
概述英飞凌CoolSiCTM MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。产品规格1、参数：IMZA120R040M1HXKSA1 （IMZA120R040M1H）FET 类型：N
2022-08-16 10:11:35
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2024-01-29 17:02:43
