概述
英飞凌CoolSiCTM MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。

产品规格

1、参数：IMZA120R040M1HXKSA1 （IMZA120R040M1H）
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：54.4 毫欧 @ 19.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.2V @ 8.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：39 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1620 nF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：227W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-4-8
封装/外壳：TO-247-4

应用
电池化成
电动汽车快速充电
电机控制和驱动
电源
太阳能系统解决方案

2、参数：IMW65R107M1H （IMW65R107M1HXKSA1）

FET 类型：N沟道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：650 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：107 mΩ
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：75 W
工作温度：-55 °C  ~ 150 °C
封装：TO247-3 
基本产品编号：IMW65R107

应用
服务器
电信系统
SMPS
太阳能系统
储能和电池信息
UPS
电动汽车充电
电机驱动器

总结：英飞凌推出的SiC MOSFET 可降低栅极电路上的源极寄生电感效应，从而实现更快的开关速度和更高的效率。

注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！