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明佳达电子Mandy
深圳市明佳达电子有限公司（回收和供应）
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分立式GaAs pHEMT QPD2018D QPD2025D QPD2040D 射频晶体管，非常适合用于高效率应用
摘要这些分立式GaAs pHEMT采用经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺设计。该工艺在高漏极偏置工作条件下通过先进的技术优化微波功率和效率。这些器件的工作频率范围为直流至20GHz。凭借这种性能水平，这些器件非常适合用于高效率
2024-06-25 15:56:00
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推出功率密度最高， 质量最佳的IGLR60R190D1XUMA1、IGLR60R340D1XUMA1 (GaNFET) 600V增强型功率晶体管
产品简介CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMT是效率最高， 功率密度最高， 质量最佳的增强型功率晶体管。增强模式概念提供了快速的开启和关闭速度， 以及在芯片或封装级别上更好的集成路径。 CoolGaN™可实现更简单的半
2024-03-02 17:46:08
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芯片工艺技术
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GaN芯片工艺
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2024-02-22 14:53:47
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微波射频器件： HMC465LP5TR、HMC760LC4BTR射频放大器，HMC547ALC3TR射频开关（RF）
1、HMC465LP5TR宽带驱动放大器，采用SMT封装，DC - 20 GHz，32QFNHMC465LP5(E)是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器，采用5x5 mm无引脚表贴封装，在DC到20 GHz的频率范围内工作。
2023-12-13 16:55:20
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【原】CY8C4147AZS-S475嵌入式微控制器，PHA-13LN+、PMA2-33LN+ 射频放大器、用于基站基础设施
1、PHA-13LN+（符合RoHS标准）是一款先进的宽带放大器，采用E-PHEMT*技术制造，在宽频率范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，PHA-13LN+在较宽的频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗。相对较低的电源电压使该模型
2023-12-09 15:36:27
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（SPDT）RF/射频开关HMC547ALP3ETR功能图、HMC574AMS8ETR器件原理、‘特点和优势’
一、HMC547ALP3ETR SPDT非反射式开关概述：HMC547ALP3E是一款通用的宽带高隔离度非反射GaAs pHEMT SPDT开关，采用低成本无引脚QFN塑封表贴封装。该开关频率范围为DC至20 GHz，具有高隔离和低插入损
2023-08-22 17:20:57
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耀创深圳
耀创（深圳）电子科技有限公司是专注于从事电子设计自动化（EDA）服务的高科技公司，是Cadence公司全线产品的授权代理商。
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技术资讯I利用HEMT和PHEMT改善无线通信电路中的增益、速度和噪声
本文要点高电子迁移率晶体管 (High electron mobility transistors ，HEMT) 和伪高电子迁移率晶体管 (pseudomorphic high electron mobility transistors ，
2022-03-24 16:50:01
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2024-06-25 15:56:00
