虽然在芯片工艺上，台积电和三星有所分歧，台积电为保证良品率优势，依然坚持在3nm制程采用FinFET工艺，而三星相比台积电品牌号召力不足，为抢先优势，毅然在3nm制程采用GAAFET技术。

虽然在芯片工艺阶段，台积电比三星晚采用GAAFET，但目前可知的是，根据台积电芯片路线规划图，台积电将在2nm工艺制程采用GAAFET技术。

近日，据供应链厂商透露，台积电将在2025年如期上限2nm生产工艺，并在2025年下半年进入量产阶段，据了解量产地点是中国台湾新竹市宝山乡。

同时台积电计划将在2026年推出N2P工艺，相比其他2nm工艺，该工艺的优势是采用背面供电网络（BSPDN）技术。

据悉，2nm芯片可以算的上是接近摩尔定律的物理极限，也是台积电在5nm制程工艺的一个重大节点，根据以往爆料，台积电将在2nm制程采用纳米片经过（Nanosheet），即替代鳍式场效应晶体管（FinFET），这意味着台积电将从FinFET正式进入GAA晶体管时代。

在能效方面，相比3nm芯片，2nm芯片在相同功耗下，运行速度将快10-15%；在相同速度下，自身功耗将降低25-30%。而在此过程中，代工技术将从高K金属栅极平面FET发展到FinFET再到MBCFET，最后到BSPDN，除此之外三星也宣布将在2nm工艺采用BSPDN技术。