在现代电子设备中，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是一种常见的元件，具有很多优秀的特性，如高阻抗、低噪声、易于驱动等，但在设计过程中，会发现MOS管刚通电就被烧毁，这是怎么回事？

首先，MOS管在刚通电的瞬间就可能被烧毁。这种问题可能源自电力系统的设计、电路的设计、元件的选择或冷启动过程中的冲击。简单来说是“击穿”。

1、过压击穿

MOS管是一种半导体元件，它对电压有一定的承受能力。如果加在MOS管上的电压超过其承受范围，就会导致电流泄漏并最终引发击穿。电压击穿通常是由于电源设计不合理、电路元件参数选择不当或浪涌电压等因素导致的。

2、过流击穿

电流击穿是指流经MOS管的电流超过其额定值，导致元件过热并最终烧毁。电流击穿通常是由于电路设计不合理、负载过重或驱动电路故障等因素引起的。

3、如何判断是哪种击穿？

按照前文所述，击穿可分为过压击穿和过流击穿，那么如何分辨？

①使用示波器测量故障模块引脚在上电瞬间的电压是否超过其耐压值；

②若超过了耐压值，则该电路参数或布局不合理，没有很好实现电压钳位，需要调整其参数；

③若没有超过耐压值，再用示波器检测ITA电流，看上电瞬间是否过流，若过流，大概率是MOS开通过慢，需调整MOS开关速度。

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