器件说明

NVMYS011N04C和NVMYS4D1N06CL 是适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于需要更高板级可靠性的汽车应用。

应用

反向器蓄电池保护

开关电源

电源开关-高端驱动器、低端驱动器、H桥

特征描述

占地面积小（5x6mm）

低RDS（开启）

低QG和电容

LFPAK4封装，工业标准

通过AEC−Q101认证并具备PPAP能力

这些器件无铅且符合RoHS规范

器件选型

1、NVMYS011N04CTWG 功率 MOSFET，40 V，12 mΩ，35 A，单 N 沟道

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Ta），35A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：7.9 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：420 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），28W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：LFPAK4（5x6）

封装/外壳：SOT-1023，4-LFPAK

基本产品编号：NVMYS011

2、NVMYS4D1N06CLTWG 功率 MOSFET，60 V, 4.0 mOhms, 100 A,，单 N 沟道

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 80µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：34 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2200 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），79W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：LFPAK4（5x6）

封装/外壳：SOT-1023，4-LFPAK

基本产品编号：NVMYS4

注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！