虽然Intel在芯片先进制程不如台积电和三星电子，但在3nm方面取得了一定的成果，同时还在诸多地方建厂，如火如荼建设，试图在芯片制造产业拿下更多市场。

据外媒爆料，Intel在美国俄勒冈州、爱尔兰的两座晶圆厂内投入了3nm级别的新工艺，并进入了大规模量产阶段，该工艺将应用在最近发布的至强6能效核版本Sierra Forest，以及即将发布的至强6性能核版本Granite Ridge。

Intel3nm工艺相当于酷睿Ultra上使用的 4nm升级加强版，只会用在需要顶级性能的数据中心至强产品线，也就是至强6，同时对外开放代工业务。

也就是说，酷睿产品不会使用该3nm工艺，Intel4之后跳到全新的Intel 20A，就是下半年要发布的高性能Arrow Lake，而低功耗的Lunar Lake第一次全部交给台积电代工，核心计算模块使用台积电N3B 3nm，平台控制模块使用台积电N6 6nm。

Intel 3的主要变化有：

－ EUV极紫外光刻的运用更加娴熟，在更多生产工序中使用EUV。

－ 引入更高密度的设计库，提升晶体管驱动电流，并通过减少通孔电阻，优化互连技术堆栈。

－ 产量提升更快。

未来，Intel还将推出Intel 3的多个演化版本，满足客户的多样化需求。

－ Intel 3-T：引入采用硅通孔技术，针对3D堆叠进行优化；

－ Intel 3-E：扩展更多功能，比如射频、电压调整等；

－ Intel 3-PT：增加硅通孔技术的同时，实现至少5%的性能提升。