GAAFET自问世以来，备受行业关注，人们认为它可以打破FinFET的物理极限，有益于推进3nm以下的工艺节点，那么它凭什么？

1、GAAFET技术是什么？

全称：Gate-All-Around Field-Effect Transistor（全环绕栅极晶体管）

核心创新：将FinFET的"鳍片"结构进化为纳米线/纳米片，实现栅极对沟道的四面包围控制。

2、GAAFET为什么能替代FinFET？

①更强的静电控制

FinFET瓶颈：

当Fin宽度<5nm时，栅极对沟道底部控制力不足，漏电激增（DIBL>100mV/V）

GAAFET突破：

四面包围使静电控制效率提升40%，亚阈值摆幅（SS）降至65mV/dec

②更高的驱动电流

纳米片堆叠技术：

可垂直堆叠3-4层纳米片（三星3GAE工艺），总沟道宽度增加200%

实测数据：

相同面积下，GAAFET驱动电流比FinFET高50%

③更灵活的尺寸调节

FinFET限制：

Fin高度/宽度固定，设计灵活性差

GAAFET优势：

纳米片厚度可调（3-8nm），支持动态性能优化

④更好的面积微缩

⑤更低的功耗

3nm节点实测：

同性能下功耗降低30%

漏电流减少70%

3、工程师如何应对GAAFET？

学习TCAD工具中的GAAFET模型

掌握纳米片工艺的DFM规则

提前布局3D IC设计能力

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