GAAFET自问世以来，备受行业关注，人们认为它可以打破FinFET的物理极限，有益于推进3nm以下的工艺节点，那么它凭什么？1、GAAFET技术是什么？全称：Gate-All-Around Field-Effect Transistor（

FinFET技术自2011年商业化以来，已经统治半导体行业十余年，但随着工艺节点推进至3nm以下，其性能增长濒临物理极限，因此，GAAFET技术问世，逐渐成为下一代半导体主流。FinFET全称Fin Field-Effect Transis

虽然在芯片工艺上，台积电和三星有所分歧，台积电为保证良品率优势，依然坚持在3nm制程采用FinFET工艺，而三星相比台积电品牌号召力不足，为抢先优势，毅然在3nm制程采用GAAFET技术。虽然在芯片工艺阶段，台积电比三星晚采用GAAFET，

现阶段，按照芯片路线图，台积电和三星作为全球最先进的芯片晶圆代工厂商正在加快研发3nm芯片制程，但相比三星的大胆猛进采用GAAFET技术，台积电显然在3nm工艺制程上十分小心，依然沿用FinFET技术，但或许台积电在3nm进展不顺。据外媒报

8月15日，美国对设计GAAFET结构集成电路所必须的EDA软件禁令正式生效，所有美国EDA软件出口，都必须接受审查和批准。EDA软件被称为“芯片之母”，是芯片设计必不可少的东西，美国禁令后，国产EDA软件开发分秒必争。今日，据媒体报道，在

近日美国总统拜登签署价值2800亿美元的《芯片法案》，欲扶持本土芯片厂商争抢市场。隔日，美国再度重拳出击，加大半导体行业的封锁，打压抑制其他国家的芯片行业发展。北京时间8月13日，美国商务部工业和安全局发布了最新公告，，对设计GAAFET(

近日三星表示有望在本季度（即未来几周）开始使用3GAE（3nm级栅极全方位早期）制造工艺量产芯片，这意味着三星将首次量产3nm制造芯片，也是全球第一个使用GAAFET（栅极全包围场效应晶体管）的半导体厂商。零基础学习FPGA/ASIC来看看