GAAFET自问世以来，备受行业关注，人们认为它可以打破FinFET的物理极限，有益于推进3nm以下的工艺节点，那么它凭什么？1、GAAFET技术是什么？全称：Gate-All-Around Field-Effect Transistor（

FinFET技术自2011年商业化以来，已经统治半导体行业十余年，但随着工艺节点推进至3nm以下，其性能增长濒临物理极限，因此，GAAFET技术问世，逐渐成为下一代半导体主流。FinFET全称Fin Field-Effect Transis

简介Kintex® UltraScale+™ FPGA在 FinFET 节点中提供高性价比，为需要高端功能（包括 33Gb/s 收发器和 100G 连接内核）的应用提供了经济高效的解决方案。该中端产品系列同时支持数据包处理和 DSP 密集型

简介Kintex™ UltraScale+™ 器件在 FinFET 节点中提供高性价比，为需要高端功能（包括 33Gb/s 收发器和 100G 连接内核）的应用提供了经济高效的解决方案。该产品系列同时支持数据包处理和 DSP 密集型功能，是

概述：Virtex UltraScale+ 器件是基于 14nm/16nm FinFET 节点的高性能 FPGA，支持 3D IC 技术和多种计算密集型应用。AMD 第三代 3D IC 使用堆叠硅片互联 (SSI) 技术打破了摩尔定律的限制

产品简介Zynq™ UltraScale+™ MPSoC 器件基于业内最先进的16nm FinFET+工艺制程打造，整合了64位ARM Cortex-A53处理器、512位ARM Mali-400 MP2图形处理器以及可编程逻辑单元，具有强

随着芯片制程工艺的提升，由于晶体管密度限制和工艺提升难度，三星率先在芯片工艺上放弃FinFET转用GAA技术，从台积电手中抢走过不少订单，如高通骁龙888和骁龙8 Gen等，但在3nm GAA工艺上，三星似乎遇到了不少麻烦，至今仍未量产，而

虽然在芯片工艺上，台积电和三星有所分歧，台积电为保证良品率优势，依然坚持在3nm制程采用FinFET工艺，而三星相比台积电品牌号召力不足，为抢先优势，毅然在3nm制程采用GAAFET技术。虽然在芯片工艺阶段，台积电比三星晚采用GAAFET，

众所周知，台积电和三星是唯二能够制作出3nm先进制程的晶圆代工厂商，因此中国台湾和韩国、美国是半导体比较发达的区域，为保证其技术优势，台积电和三星多次优化半导体人才培养体系。最近台积电再度搞出大动作！近日，台积电宣布正式启动大学FinFET

现阶段，按照芯片路线图，台积电和三星作为全球最先进的芯片晶圆代工厂商正在加快研发3nm芯片制程，但相比三星的大胆猛进采用GAAFET技术，台积电显然在3nm工艺制程上十分小心，依然沿用FinFET技术，但或许台积电在3nm进展不顺。据外媒报

台积电9月份将量产3nm工艺，这一代还会继续使用FinFET晶体管，2025年量产的全新一代2nm工艺才会用上GAA晶体管技术，他们也会使用美国厂商的EDA技术，而且依赖性很高。据悉，EDA电子设计自动化在半导体行业并不是一个价值很高的市场