凡亿专栏 | Intel正式公开4nm EUV工艺制程,性能暴涨35%
Intel正式公开4nm EUV工艺制程,性能暴涨35%

根据Intel的芯片工艺路线图,到2025年之前他们要在短短4年内掌握5代CPU工艺,其中有2代还是首次进入埃米级工艺,今年下半年将要量产Intel 4工艺,也就是对标友商的”4nm“工艺,也是Intel首款使用EUV光刻机的工艺。

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目前台积电、三星已经量产了4nm工艺,不过Intel自家的”4nm“工艺还是有不少特色的,特别是在性能方面,其他两家主要生产低功耗芯片,Intel则是要生产高性能处理器,包括桌面及服务器级别的。
Intel的这个”4nm“工艺比目前的Intel (也就是没改名前的第二代10nm工艺)工艺每瓦性能提升20%,如果是对比之前的初代10nm工艺,那么性能提升超过35%。
其他方面,Intel ”4nm“工艺的晶体管密度相比Intel 7工艺提升100%,HP高性能库密度可达1.6亿晶体管/mm2,高于台积电5nm工艺的1.3亿晶体管/mm2,接近台积电未来的3nm工艺的2.08亿晶体管/mm2水平了。
I性能猛增35% Intel公开”4nm“ EUV工艺性能:CPU频率冲击6GHz?
目前Intel 7工艺量产的12代酷睿及下半年的13代酷睿频率可以做到5.5GHz了,假设性能也只是提升20%,那极限频率应该可以突破6GHz了,史无前例的水平,不知道Intel会不会这么做。
Intel 4工艺会在明年的14代酷睿Meteor Lake上首发,后者也会是Intel酷睿系列中首个大量使用3D Foveros混合封装的处理器,主要有三个部分封装在一起,一是计算模块,二是GPU模块,多达96-192个计算单元,三是SoC-LP,应该是包含内存控制器、PCIe控制器等输入输出部分。
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