自从摩尔定律被提出后，芯片内置的晶体管数量开始以高速增长趋势发展，其中的绝缘栅双极晶体管因其特点广受关注，常应用在多种行业，今天我们将为小伙伴们科普绝缘栅双极晶体管。

一般来说，电力晶体管GTR的特点是双极性，由电流驱动，有电导调制效应，通流能力强。但缺点是开关速度极低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。电力场效应管MOSFET的优点是单极性，由电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性和，所需驱动功率小，驱动电路简单。而结合二者的优点而成的复核期间就是绝缘栅双极晶体管（IGBT），备受半导体厂商青睐，已在多种行业替代了GTR和部分的MOSFET，开始成为电源电路中小功率电力电子设备的主导器件。

常见的IGBT是三端器件，主要为栅极G、集电极C和发射极

额，如图所示，J表示PN结。IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本上相同，属于场控器件，所以它的导通与终端皆由栅射极电压UGE决定。当需要导通时，UGE大于开启电压，MOSFET内形成通道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通；导通时有一压降，电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降小。当需要关断时，栅射极间施加反压或不加信号，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。

IGBT的特点及参数特性：

1、开关速度高，开关损耗小

当电压在1000V以上时，开关损耗仅有GTR的1/10，与MOSFET相当；

2、耐脉冲电流冲击能力

相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力；

3、通态压降低

IGBT的通态压降比MOSFET低，特别是在电流大的区域；

4、输入阻抗高

IGBT的输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似。

5、耐压和通流能力高

和MOSFET、GTR相比，IGBT的耐压和通流能力高，也能保持开关频率高的特点。

为使用方便，IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起，制作成模块从而成为逆导器件。