在功率Mosfet设计中，许多工程师被要求降低RDS（ON）与栅源偏置电压Vcs，RDS（ON）是Mosfet在导通状态下的电阻，直接影响电子器件的功耗及效率。1、选择合适的MOSFET器件低RDS（ON）器件：选择专门设计为低导通电阻的

开关电源使用过程中有开关损耗，若其开关损耗过大，容易影响整体效率。为了提升电源性能，工程师需要在电源设计合理降低MOSFET和二极管的开关损耗，如何做到？1、选择低导通电阻RDS（ON）的MOSFET具体选择：优先选用具有低RDS(ON)值

在电子电路中，NMOS（N型金属氧化物半导体）晶体管极为常见，尤其是在逻辑芯片、处理器和数字存储器中应用广泛。然而使用过程中，总会发现理想中的NMOS与实际使用的NMOS之间存在着显著的差异，这是为什么？1、理想NMOS的特点导通电阻：理想

步入21世纪后，随着对高压、大电流、高效率及快速开关特性的需求日益增长，传统MOS功率器件已经难以满足很多应用场景的要求，因此，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电路应运而生，成为该问题的解决方案，那么我们为什么需要它？1、降低导通电阻IGBT

电源模块在工作过程中可能会受到多种因素的影响而导致损耗，以下是一些可能造成电源模块损耗的原因：导通电阻损耗：电源模块内部的导通电阻会导致电能转化为热能，从而产生损耗。开关管损耗：开关电源模块中的开关管在开关过程中有一定的开关损耗，由于开关频

这些1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列针对高功率应用进行了优化，如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压DC/DC转换器等。该系列基于第三代技术，多种多样的导通电阻和封装选项使设计人员能够根据应

1、SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的

一、概述1、NTTFS6H860NLTAG N沟道功率MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)（功率转换应用中使用的MOSFET的关键品质因数 (FOM)）。该MOSFE

1、ISZ113N10NM5LFATMA1OptiMOS™ 5线性FETISZ113N10NM5LF OptiMOS™ 5线性FET具有非常低的导通电阻和100V VDS。该产品组合包括11.3mΩ低导通电阻RDS(on)。该器件采用TDS

东芝推出新款采用PWM控制的双H桥直流有刷电机驱动IC，推荐应用为移动设备和家用电器-东芝的新一代DMOS工艺让TC78H660FNG能够在最大额定值为18V／2.0A［1］时实现低至0.48Ω的导通电阻，较东芝的现有产品发热更低。