聚辰股份全系列Nor Flash产品涨价25%，半导体涨价潮蔓延至存储芯片据蓝鲸新闻报道，记者从经销商处获悉，受全球半导体产业链波动影响，Nor Flash芯片核心原材料及晶圆、封测等生产环节成本持续走高，聚辰股份已向其经销商下发通知，全系

MEMS传感器PCB异质集成突破_晶圆级封装实现成本降低90%MEMS传感器PCB异质集成实现重大突破，晶圆级封装成本降低90%，推动MEMS传感器进入批量应用新时代。2026年全球MEMS传感器市场规模突破200亿美元，同比增长35%，其

随着半导体工艺向高精度、高集成度发展，晶圆形状逐渐突破传统圆形限制，衍生出带缺口（Notch/Flat）、异形切割、曲面晶圆等特殊形态。这些特殊形状对测试工艺提出新挑战，需针对性开发测试方法以确保良率与可靠性。1、带缺口晶圆的定位与测试缺口

引言随着半导体技术不断推进，芯片制造工艺面临诸多挑战。在这种背景下，通过晶圆背面进行供电的方案(BSPDN)成为一个重要的技术发展方向。然而，采用BSPDN技术会带来显著的散热挑战，需要通过系统化的分析和策略来解决[1]。图1展示了从RTL测试向量到功耗分析的电子设计自动化(EDA)工作流程，显示了

在半导体产业中，晶圆尺寸和纳米工艺技术是两个非常重要的概念，直接关系到芯片的生产效率、成本、性能以及未来技术的发展方向。那么，晶圆尺寸和纳米工艺之间到底有没有关系？什么是晶圆尺寸？晶圆（Wafer）是制造半导体芯片的基础载体，通常由硅单晶材

GaAs晶圆在减薄过程中容易出现碎片和应力问题，这主要与材料的脆性、加工工艺以及应力管理有关。以下是对这些问题的详细分析：1. GaAs晶圆的脆性与减薄难度GaAs是一种脆性材料，其减薄极限较其他材料（如Si）更低。例如，GaAs的减薄极限通常为50μm左右，而Si可以减薄到约50nm，这种脆性导致

在电子制造领域，“表面贴装芯片”（简称SMD）和“裸片”（Die）是两个常见但容易混淆的概念。很多新人或非专业人士常常将表面贴装芯片误认为是裸片，或者反之。一、裸片的定义与特点裸片是指从晶圆上经过光刻、蚀刻、掺杂等工艺制成的单个集成电路芯片

在现代电子产业中，“芯片”和“晶圆”是两个非常重要的概念，虽然它们常常被一起提及，但实际上它们有着本质的区别。芯片和晶圆的区别晶圆晶圆是半导体制造的基础材料，通常是由高纯度的单晶硅制成的。这种薄片通常呈圆形，直径有几英寸到几十英寸不等，表面

引言半导体行业通过创新集成技术持续发展，特别是在三维集成电路（3DIC）领域。本文介绍基于SOI临时键合技术的突破性方法，该方法实现了亚微米级别的层间厚度和精确对准[1]。1三维集成技术的发展三维集成在半导体制造领域代表着重要的技术进步，为克服传统工艺缩放限制提供了解决方案。目前存在单片三维集成和晶

在半导体产业链中，晶圆与芯片如同硬币的两面——前者是基石，后者是结晶。理解它们的差异，是踏入半导体行业的基础课。核心区别清单定义本质晶圆：高纯度单晶硅制成的圆形薄片，是芯片制造的“画布”。芯片：晶圆经光刻、蚀刻等工艺切割后的功能单元，集成电

在半导体产业中，一个有趣的现象是：最终产品芯片呈方形，而其原材料晶圆却保持圆形。这种形状差异源于材料科学、制造工艺与经济性的多重博弈。1、晶圆成型：圆柱形硅锭的遗产单晶生长工艺：通过柴可拉斯基法拉制硅锭，天然形成圆柱体结构。切片经济性：圆形

芯片良率（或成品率）是指在芯片制造过程中，从一片晶圆上生产出的芯片中，能正常工作的比例，即合格芯片数量与总芯片数量的比率。良率的高低反映了生产工艺的成熟度、设备的精度和稳定性、材料质量以及设计合理性。芯片良率的重要性生产效率和资源利用：高良

在 3D-IC 设计中，热挑战可能会对性能达标带来重大影响。尽管近年来摩尔定律的步伐有所放缓，但借助系统技术协同优化（STCO）方法，有望利用新兴技术产品（包括 3D 技术）调整系统架构，从而缓解工艺发展瓶颈。 本白皮书分析了嵌入式微凸点（EμBump）和晶圆对晶圆混合键合（W2WHB）的材料特性对