英飞凌推出芯片嵌入方案拓展高压PCB应用资讯日期：2026年10月27日｜原创行业新闻整理AI生成示意图｜多层PCB与嵌入式功率芯片结构高压功率器件集成进电路板结构Infineon于10月27日发布ENDOPACK品牌，扩展其芯片嵌入式功率

英飞凌发布5.6千瓦电源参考设计面向AI服务器资讯日期：2026年10月27日｜原创行业新闻整理AI生成示意图｜服务器电源内部功率器件与PCB面向机架空间受限的电源设计Infineon于10月27日公布一款5.6千瓦模块化公共冗余电源（M-

当你手握一片MAX696CWE却不知其身份时，不是芯片太复杂，而是你没掌握厂商的“密码本”，本文将谈谈溜达芯片厂商的芯片命名规则，让你从此选型快人一步！一、ST（意法半导体）：嵌入式工程师的必修课命名结构：STM32F042K4USTM32

1、TLE4971 XENSIV™无芯电流传感器是专用于汽车和工业应用的高精度无芯电流传感器。这些微型传感器采用8x8mm SMD封装，具有最高载流能力，外形小巧，便于集成，节省电路板面积。英飞凌提供四种预编程型号，满量程测量范围分别为12

概述EiceDRIVER™增强型X3模拟系列通过外部电阻器（ADJA和ADJB引脚）实现DESAT（可调滤波器时间）和软关闭（可调电流）的配置能力。英飞凌1ED34xx单通道隔离式驱动器具有高达9A输出电流和最大40V输出电源电压，采用节省

产品描述：SEMPER™ NOR Flash闪存系列是英飞凌高性能、安全而可靠的 NOR Flash解决方案。 它集成了适用于汽车、工业、通信等广泛应用的关键安全功能。 凭借 SEMPER™ NOR Flash闪存，英飞凌推出了业界首款符合

随着自去年下半年以来的芯片产能的持续紧缺，以及上游原材料价格的上涨，众多的晶圆代工厂持续上调了晶圆代工报价，下游的芯片厂商为转嫁成本上升压力，也纷纷对芯片进行涨价。8月23日消息，据Thomson Reuters 报导，英飞凌CEO Reinhard Ploss于8月20日接受德国商业周刊播客专访时

产品概述1200V碳化硅汽车Mosfet系列已开发用于当前和未来混合动力和电动汽车的车载充电器和DC-DC应用。基于最先进的英飞凌SiC沟槽技术结合. xt互连技术，碳化硅mosfet专为满足汽车行业在可靠性、质量和性能方面的高要求而设计。

概述英飞凌CoolSiCTM MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。产品规格1、参数：IMZA120R040M1HXKSA1 （IMZA120R040M1H）FET 类型：N

这趟“高效节能”车没有老司机，全靠英飞凌功率技术带你飞！-什么样的MOSFET才适合储能系统？英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET产品系列，帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。

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号外、号外、号外， 英飞凌电源与传感系统云端大会 启动啦~ 9月7日-11日， 两岸三地、专家携手， 一场功率 传感的技术盛会正在袭来！ 精彩主题抢先看 01 极致功率，引领广泛应用的能效创新 采用英飞凌功率器件实现高性能开关电源设计 零电压开通高效反激拓扑电源设计与方案介绍 两轮摩托车的电气化变革与创新机会 英飞凌的宽带隙功率解决方案：硅、碳化硅、氮化镓 高效能存储及创新电池第二寿命解决方案 在5G网络中边缘计算的发展 02 广博传感

无论是开关电源、拓扑设计、宽禁带半导体、两轮车电气化、高效储能、5G电源等无处不在的基础功率技术，还是智能楼宇、智能家居、雷达感知、语音交互等先锋创新的广泛传感应用。

英飞凌 CoolSiC? 技术助力光宝科技推出80 PLUS 钛金认证的 SMPS 交换式电源供应器-为符合最高效率 80 PLUS 钛金认证的要求，在 50% 负载条件下，115 V 输入电压需达到94% 效率，另在 230 V 电压下则需达到 96% 效率。

英飞凌OptiMOS?源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置-OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。