ARM内核作为SoC（System On Chip）的核心组成部分，凭借其高速度、低功耗的优异性能，广泛应用于智能手机、机顶盒、数码相机、GPS等众多领域。本文将详细列出ARM内核的系列及其关键特性，以便读者能够清晰了解ARM内核不同系列的区别。

1、ARM7

采用ARMV4T（Newman)结构，三级流水，空间统一的指令与数据Cache，平均功耗为0.6mW/MHz，时钟速度为66MHz，每条指令平均执行1.9个时钟周期。

其中的ARM710，ARM720和ARM740为内带Cache的ARM核。

2、ARM9

采用ARMV4T（Harvard)结构，五级流水处理以及分离的Cache结构，平均功耗为0.7mW/MHz。时钟速度为120MHz- 200MHz，每条指令平均执行1.5个时钟周期。

与ARM7系列相似，其中的ARM920、ARM940和ARM9E为含Cache的CPU核，性能为132MIPS（120MHz时钟，3.3V供电）或220MIPS（200MHz时钟）。

3、ARM10

采用ARMV5T结构，六级流水处理，指令与数据分离的Cache结构。平均功耗为1000mW，时钟速度为300MHz，每条指令平均执行1.2个周期，其中ARM1020为带Cache的版本。

ARM10TDMI与所有ARM核在二进制级代码兼容，内带高速32X16MAC，预留DSP协处理器接口。其中的VFP10（矢量浮点单元）为七级流水结构。

ARM1020T具有32KID Caches+MMU结构，支持多种商用操作系统，适用于高性能手持式因特网设备及数字式消费类应用。

4、StrongARM

处理器采用ARMV4T的五级流水结构，有SA110、SA1100以及SA1110等版本。

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