FinFET技术自2011年商业化以来，已经统治半导体行业十余年，但随着工艺节点推进至3nm以下，其性能增长濒临物理极限，因此，GAAFET技术问世，逐渐成为下一代半导体主流。

FinFET全称Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管。

1、FinFET技术存在局限性

静电控制不足：5nm以下节点漏电严重

性能瓶颈：驱动电流难以突破1.5mA/μm

工艺极限：Fin宽度<5nm时光刻精度不足

2、GAAFET凭什么能替代FinFET？

结构创新：栅极全包围纳米片（4面控制）

关键优势：

驱动电流提升50%（达2.2mA/μm）

漏电降低70%

支持3D堆叠设计

3、FinFET和GAAFET技术对比

4、工程师如何应对？

学习纳米片器件物理特性

掌握新型SPICE模型

关注TSMC/Samsung的GAA设计规则

总结：

技术更替的本质：当性能提升遇到物理极限，结构创新是唯一出路。

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