现阶段，按照芯片路线图，台积电和三星作为全球最先进的芯片晶圆代工厂商正在加快研发3nm芯片制程，但相比三星的大胆猛进采用GAAFET技术，台积电显然在3nm工艺制程上十分小心，依然沿用FinFET技术，但或许台积电在3nm进展不顺。

据外媒报道，在将3nm制程工艺的量产时间由外界预计的9月底推迟到四季度晚些时候之后，当前全球最大的晶圆代工商台积电，将再次将这一先进制程工艺的量产时间推迟3个月。

据了解，韩媒报道，声称台积电将3nm制程工艺的量产时间再度推迟三个月，也就是说量产时间将推到明年。

之前，台积电CEO魏哲家表示正在推进四季度的3nm量产，确保3nm芯片以高良品率量产，预计产能将在2023年稳步提升。

然而，此前有报道称台积电的3nm制程工艺在9月底前后就将量产，魏哲家透露的四季度晚些时候，较他们的预计已有推迟。

但按照媒体报道，表示台积电推迟3nm芯片量产，或将是设备的交付出现问题，导致供应能力无法满足客户的需求。