GAAFET自问世以来，备受行业关注，人们认为它可以打破FinFET的物理极限，有益于推进3nm以下的工艺节点，那么它凭什么？1、GAAFET技术是什么？全称：Gate-All-Around Field-Effect Transistor（

FinFET技术自2011年商业化以来，已经统治半导体行业十余年，但随着工艺节点推进至3nm以下，其性能增长濒临物理极限，因此，GAAFET技术问世，逐渐成为下一代半导体主流。FinFET全称Fin Field-Effect Transis

全控型器件——电力晶体管电力晶体管（Giant Transistor——GTR）按英文直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar JunctionTransistor——BJT）1、结构和工作原理GTR与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的，最主要的特性是耐压高、电流大

场效应晶体管（Field-effect Transistor，简称FET）作为一种关键的电子元器件，在现代电子电路中扮演着举足轻重的角色。重点学习场效应晶体管是很有必要的。1、场效应晶体管是什么？场效应晶体管是一种通过电场效应控制电流的电子

在使用Altium Designer（AD）进行PCB设计时，可能误操作，导致焊盘在3D视图中显示为绿色，一般原因是焊盘被意外设置了“盖油”（Solder Mask Expansion）规则，导致在制造过程中焊盘上的阻焊层覆盖了原本应该裸露

ESD（Electrostatic Discharge）,静电释放，指一种现象。这里指静电释放防护器件。TVS (Transient Voltage Suppressor)，这表示它是一种瞬态电压抑制器TVS管和ESD管的区别是：工作原理是一样的，但功率和封装是不一样的；ESD主要是用来防静电，寄生

瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppression Diode），又称为TVS二极管，是一种用于保护电路免受瞬态过电压影响的电子器件。它能够在电路中工作时，快速导通并吸收电路中的瞬态过电压，以保护其他电子元件免受损坏

MOS管全称为金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），也被称为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect

带阻三极管（Darlington Transistor）是一种特殊的双极型（BJT）晶体管，由两个晶体管级联而成。它具有高电流放大倍数和低输入电流的特点，常用于需要高电流放大的应用电路中。带阻三极管基本结构带阻三极管由两个晶体管级联而成,其

瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppressor，简称TVS）是电子线路中的重要保护器件，常常用于保护电子设备受到瞬态高能量冲击的损害，为确保TV能够正常工作，工程师必须对其好坏状态进行判断，那么如何做？1、万用表测

碳化硅三极管（Silicon Carbide Transistor，简称SiC三极管）是一种用碳化硅（SiC）作为半导体材料的三极管。它具有优异的高温、高电压和高频特性，可以替代传统的硅材料制成的三极管，在高温、高电压、高频等特殊环境下发挥

薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）是一种用于电子设备中驱动液晶显示屏的晶体管技术。它是一种薄膜电晶体管，与传统的晶体管相比，具有更小的体积、更低的功耗和更高的开关频率。薄膜晶体管广泛应用于平板电视、电脑显示器、手

电力晶体管（Power Transistor）是一种用于控制大电流和高功率的半导体器件。它是一种晶体管的变种，具有较高的电流和功率处理能力，广泛应用于功率放大、开关控制和电源调节等领域。01电力晶体管基本结构电力晶体管由三个不同掺杂的P型和

在电子电路中，不同器件之间需建立电信号的传输与交换，而这些信号的传输必须通过一定的接口来实现，但不用的电平接口有不同的原理及应用场景，该如何根据电路来选择接口？1、TTL电平接口原理：TTL（Transistor-Transistor Lo

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种常见的功率半导体器件，具有高电压、高电流和高速开关等特点。在现代电力电子应用中，IGBT单管和IGBT模块是两种常见的形式。虽然它们都具有类似的结构和工作原

对电子工程师来说，电平接口是很常见的电路配置，在这些电平接口的帮助下，电路的稳定性及可靠性大大加强，但并非所有接口适用于电路，今天凡小亿将盘点七大接口，希望对小伙伴们有所帮助。1、TTL接口TTL（Transistor-Transistor