IGBT关断过程的分析上一篇，我们写了基于感性负载下，IGBT的开通过程，今天，我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析，而今天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOS

半导体分立器件是指由半导体材料制成的，具有单一功能或特定功能的电子元器件。其基础单元是PN结，常见的半导体分立器件包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管（可控硅）、IGBT、光耦（光电耦合器）等。这些器件的主要制造材料包括硅、锗、碳等半导体元

步入21世纪后，随着对高压、大电流、高效率及快速开关特性的需求日益增长，传统MOS功率器件已经难以满足很多应用场景的要求，因此，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电路应运而生，成为该问题的解决方案，那么我们为什么需要它？1、降低导通电阻IGBT

首先祝大家五一快乐，今天翻看私信，看到有个朋友留言IGBT，本来计划是想先讲一下双极型晶体管后才衍生讲MOS，那既然有朋友想要了解，那我今天就先把MOS和IGBT都简答讲一下。 我们知道在开关电源中，功率MOS是最常选用的功率开关器件，在大多是场合下，它的成本和导通损耗

在高速电子开关中，很多电子工程师都在发愁过电压问题，过电压的存在可能对关键元件如IGBT（绝缘栅双极型晶体管）造成严重损害。为了解决这个挑战，雪崩二极管应运而生。1、雪崩二极管是什么？雪崩二极管是一种利用半导体内部载流子碰撞电离和渡越时间效

1、描述：汽车IGBT分立器件AIKQ200N75CP2是一款EDT2 IGBT，带有一个共同封装的二极管，采用TO247PLUS封装。750V EDT技术通过支持高达470V的电池电压和因过压裕量增加而实现的安全快速开关，显著提高了高电压

HL型栅极驱动器（High Level Gate Driver）是一种用于驱动功率半导体器件（如MOSFET和IGBT）的电路。它的主要功能是在输入信号的高低电平之间提供适当的电压和电流，以控制功率半导体器件的导通和截止。HL型栅极驱动器通

概述EiceDRIVER™增强型X3模拟系列通过外部电阻器（ADJA和ADJB引脚）实现DESAT（可调滤波器时间）和软关闭（可调电流）的配置能力。英飞凌1ED34xx单通道隔离式驱动器具有高达9A输出电流和最大40V输出电源电压，采用节省

1、ADUM220N0BRWZ 可靠的 5.0 kV rms 双通道数字隔离器、0 个反向通道和 7.8mm 爬电距离ADuM220N 是一款采用iCoupler®技术的双通道数字隔离器。该隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种常见的功率半导体器件，具有高电压、高电流和高速开关等特点。在现代电力电子应用中，IGBT单管和IGBT模块是两种常见的形式。虽然它们都具有类似的结构和工作原

NXH600B100H4Q2是一款三通道对称升压模块。每个通道包含两个1000V 200A IGBT和两个1200V 60A碳化硅二极管和一个负温度系数热敏电阻（NTC）。特点• 模块带有低热阻抗基板• 可选焊接引脚或press-fit引脚

IGBT，全称为绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。它具有强电流、高压应用和快速终端设备

一、简介RGW 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。RGW IGBT具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。ROHM RGW 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、I

1、IKD10N60RFATMA1 600V RC快速驱动是用于敏感的消费类驱动市场的高性价比解决方案。这种基本技术为永磁同步和无刷直流电机驱动器提供出色的性能。该器件具有出色的温度稳定性，可节省高达60%的PCB空间。详细描述：IGBT

1200V HighSpeed3 H3 IGBT系列是硬开关和软开关拓扑结构的理想选择。该系列为开关损耗树立了新标杆，推荐用于开关频率为20 kHz以上的拓扑。超短尾电流和低关断损耗（比最接近的竞争对手低25%）是该系列的主要特性，将该系列