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HL型栅极驱动器（High Level Gate Driver）是一种用于驱动功率半导体器件（如MOSFET和IGBT）的电路。它的主要功能是在输入信号的高低电平之间提供适当的电压和电流，以控制功率半导体器件的导通和截止。HL型栅极驱动器通

概述EiceDRIVER™增强型X3模拟系列通过外部电阻器（ADJA和ADJB引脚）实现DESAT（可调滤波器时间）和软关闭（可调电流）的配置能力。英飞凌1ED34xx单通道隔离式驱动器具有高达9A输出电流和最大40V输出电源电压，采用节省

1、ADUM220N0BRWZ 可靠的 5.0 kV rms 双通道数字隔离器、0 个反向通道和 7.8mm 爬电距离ADuM220N 是一款采用iCoupler®技术的双通道数字隔离器。该隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种常见的功率半导体器件，具有高电压、高电流和高速开关等特点。在现代电力电子应用中，IGBT单管和IGBT模块是两种常见的形式。虽然它们都具有类似的结构和工作原

NXH600B100H4Q2是一款三通道对称升压模块。每个通道包含两个1000V 200A IGBT和两个1200V 60A碳化硅二极管和一个负温度系数热敏电阻（NTC）。特点• 模块带有低热阻抗基板• 可选焊接引脚或press-fit引脚

IGBT，全称为绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。它具有强电流、高压应用和快速终端设备

一、简介RGW 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。RGW IGBT具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。ROHM RGW 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、I

1、IKD10N60RFATMA1 600V RC快速驱动是用于敏感的消费类驱动市场的高性价比解决方案。这种基本技术为永磁同步和无刷直流电机驱动器提供出色的性能。该器件具有出色的温度稳定性，可节省高达60%的PCB空间。详细描述：IGBT

1200V HighSpeed3 H3 IGBT系列是硬开关和软开关拓扑结构的理想选择。该系列为开关损耗树立了新标杆，推荐用于开关频率为20 kHz以上的拓扑。超短尾电流和低关断损耗（比最接近的竞争对手低25%）是该系列的主要特性，将该系列

1、IKW30N65EL5XKSA1（650V）TRENCHSTOP™ 5 L5（低饱和5）IGBT处于开关频率范围的另一端，优化用于在开关<10kHz的设计中提供出色的性能。针对50Hz至20kHz的低开关频率范围对L5进行了专门优化。L

1200V、IXYA20N120A4HV、IXYA30N120A4HV采用第四代 (GenX4™) 沟槽型IGBT工艺研发而成。概述：沟槽型1200V XPT™ GenX4™ IGBT采用专有的XPT薄晶圆技术和最先进的第四代 (GenX4

输入变频器滤波器主要功能是抑制变频器的IGBT电子元件产生的电磁干扰，通过输入电源R，S，T传输到公共电网，从而导致电源失真或其他电气设备的供电波形。输出变频器滤波器主要功能是抑制变频器输出侧的三根导线U，V和W产生的干扰，并干扰变频器自身

UCC27531QDBVRQ1功能框图驱动配置：低端通道类型：单路驱动器数：1栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET电压 - 供电：10V ~ 32V逻辑电压 - VIL，VIH：1.2V，2.2V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：2.

带有 IGBT4 和二极管的 HybridPACK™ 驱动模块是一款符合汽车标准的电源模块，专为混合动力和电动汽车应用而设计。 产品 FS380R12A6T4LB 配有 PinFin 基板和高性能陶瓷。优势紧凑型设计直冷底板和高性能陶瓷集成

F3L400R10W3S7 EasyPACK IGBT模块是扩展电流逆变器设计的理想平台，实现更高功率，机械侧无需改变太多。该器件具有大电流密度和低开关损耗。F3L400R10W3S7包括TrenchstopTM IGBT7和PressFI